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| BUP300
SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 1200V | | | UGE | ±20V | | IC | 3.5A | | Ptot | 50W | | fT | - | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [mehr] SH SIPMOS Halbleiter 1993/94 | | | Erweiterte Informationen zu BUP300 | | OEM: | Siemens AG | | Gehäuse: | TO-218AA | | BUP300 Datenblatt (jpg): | verfügbar | | BUP300 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | - | | Ähnliche Typen: ↑ | GT8Q101 | | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | | Bauteilsuche: | Suche |
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SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 1200V | | | UGE | ±20V | | IC | 3.5A | | Ptot | 50W | | fT | - | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [mehr] SH SIPMOS Halbleiter 1993/94 | | | | Erweiterte Informationen zu BUP300 | | OEM: | Siemens AG | | Gehäuse: | TO-218AA | | BUP300 Datenblatt (jpg): | verfügbar | | BUP300 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | - | | Ähnliche Typen: ↑ | GT8Q101 | | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | | Bauteilsuche: | Suche |
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp
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| GT8Q101
SI N-IGBT Transistor
similar to BUP300, see note | | | UCE | 1200V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 8/16A | | Ptot | 100W | | TON/TOFF | 400/800nS | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | Ähnlicher Typ: GT8Q101 | | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Gehäuse: | 2-16C1C | | GT8Q101 Datenblatt (jpg): | verfügbar | | GT8Q101 Datenblatt (pdf): | verfügbar | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | - | | Ähnliche Typen: ↑ | - | | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | | Bauteilsuche: | Suche |
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| GT8Q101
SI N-IGBT Transistor
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp
